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SiC
晶圓
激光退火
| LA
SiC
晶圓激光退火
| LA
應用領(lǐng)域
SiC晶圓歐姆接觸制備
產(chǎn)品特點
國內(nèi)首家通過量產(chǎn)驗證
成熟穩(wěn)定、可靠性好
全自主光學系統(tǒng),LIET專利光學整形技術(shù)
綠光、紫外兩種波長可選
型號
LA2515UV
LA2540/2550S
晶圓尺寸
6寸、8寸
光斑尺寸
X:100~500μm
Y:100~500μm
最大激光能量密度
Green:10J/cm
2
UV:6J/cm
2
比電阻接觸率
~10
-5
Ω·cm
2
氧含量控制
≤10ppm
產(chǎn)品及應用
晶圓制造
IGBT
晶圓激光退火
| LA
激光誘導結(jié)晶設(shè)備
| LIC
淺結(jié)/超淺結(jié)晶圓退火
| LA
激光解鍵合系統(tǒng)
| LD
SiC
晶圓激光退火
| LA
激光誘導外延生長設(shè)備
| LIEG
晶圓激光標刻機
| WLM
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